激子光谱再突破:C₃N与C₃B单/双层体系刷新二维材料强吸收纪录
单层:平行能带造就“单峰吞噬”式吸收
- 借助 60×60×1 超密 k 点 与 双网格插值技术,我们解出 Bethe–Salpeter 方程,发现 C₃N 与 C₃B 的价-导带在 大段布里渊区内近乎平行 → 产生高联合态密度。
- 结果:
- C₃N 在 1.9 eV(650 nm)出现 单对二重简并激子,吸收贡献 **>90%**;
- C₃B 在 2.1 eV(590 nm)亦出现 >80% 的同类巨峰;
- 其余数百个激子态几乎“全暗”,使吸收谱呈现 史无前例的“一峰独秀” 形状。
- 激子束缚能呈 壳层式分布(Series I/II/III),每壳层收敛到不同边缘,束缚能高达 1 eV 以上——为二维材料之最。
双层:type-II 能带排列催生远红外“层间激子灯”
- 将 C₃N(电子富集)与 C₃B(电子不足)按能量最优 AA₂ 堆垛(层距 3.16 Å)组合,形成天然 type-II 异质结——电子-空穴空间分离,理论带阶 0.33 eV。
- 计算表明:
- 层间激子能量 0.04–0.18 eV(对应 7–30 μm,覆盖长波红外至太赫兹);
- 振子强度 比层内激子还高 → 理论吸收系数 ≈ 10⁵ cm⁻¹ 量级;
- 束缚能 0.2–0.4 eV,远胜传统窄隙半导体(meV 级),保证 室温稳定;
- 激子态同样呈现 壳层分布,且可连续调谐至 40 meV 以下,为 “THz 激子激光” 提供可能。
计算策略:1000× 加速让超密 BSE 成为常态
两项研究均依托 “能量积分 + mini-BZ 解析积分” 双重加速算法,把二维 GW 与 BSE 的 k 点需求从 120×120 降至 6×6,整体提速 ~1000 倍而保持 0.02 eV 精度。该框架已集成至开源 BerkeleyGW,为高通量筛选 红外-THz 2D 异质结 奠定工具链。
应用展望:从窄带光谱仪到可重构光芯片
- 窄带吸收/发射层:单原子层即可实现 FWHM < 50 meV 的可见-近红外发光,适用于 高色纯度 LED、激光增益介质。
- 远红外探测:C₃N/C₃B 双层 层间激子覆盖 3–30 μm,可填充 传统 III-V/锗材料难以企及的 THz 间隙。
- 应力-电场双调谐:
- 面内应变 → 独立移动 价带顶(px+py 轨道);
- 层距/垂直电场 → 独立移动 导带底(pz 轨道);
→ 实现 “电子-空穴通道分离调控”,为 可重构 p-n 结、应力像素阵列 提供新思路。
实验挑战与路线图
- 材料制备:C₃N 已通过 有机晶体碳化法 实现晶圆级合成;C₃B 已由 硼烷-碳源 CVD 获得晶畴,大尺寸单晶仍在攻关。
- 堆垛控制:团队预测 AA₂ 序 能量最低,建议采用 “翻转-转移 + 后退火” 或 区域熔融再结晶 获得高有序异质结。
- 表征目标:
- 低温扫描隧道谱 验证 0.17–0.33 eV 带阶;
- 超快太赫兹光谱 捕捉 40 meV 层间激子动力学;
- 门控霍尔 确认 室温激子绝缘体相 是否出现。
结语
从 单层的“单峰吞噬”可见吸收 到 双层的“远红外激子灯”,C₃N 与 C₃B 体系展示了 能带工程与多体效应协同 带来的 光谱革命。随着 晶圆级合成与范德华集成技术 的成熟,这些石墨烯“表亲”有望走出论文,在红外成像、THz 通信与柔性光谱芯片中大放异彩。
Zhao Tang, Greis J. Cruz, Fanhao Jia, Yabei Wu, Weiyi Xia, Peihong Zhang*
Stacking up electron-rich and electron-deficient monolayers to achieve extraordinary mid- to far-infrared excitonic absorption: Interlayer excitons in the C3B/C3N bilayer. [pdf version]
Physical Review Applied 19, 044085 (2023)
Zhao Tang, Greis J. Cruz, Yabei Wu, Weiyi Xia, Fanhao Jia, Wenqing Zhang, and Peihong Zhang*
Giant Narrow-band Optical Absorption and Distinctive Excitonic Structures of Monolayer C3N and C3B. [pdf version]
Physical Review Applied 17, 034068(2022)