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2023

09-07

激子光谱再突破：C₃N与C₃B单/双层体系刷新二维材料强吸收纪录

2022

07-02

单层MoSi2N4:被保护的带边电子态及其介电可调的准粒子和激子性质的理论研究

2020

09-07

单层2.55 eV、块体0.17 eV！C₃B刷新二维材料带隙“可调幅”纪录

2018

11-22

二维半导体C₃N研究获突破：理论计算揭示其真实带隙远超实验值

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